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深圳市瑞平祥电子有限公司
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产品分类
IRF530NPBF晶体管
发布时间： 2018/10/13 17:23:36 | 316 次阅读
FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）17A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）90 毫欧 @ 9A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）37nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）920pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）70W（Tc）工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3