FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）55V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）42A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）20 毫欧 @ 42A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）180nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）3500pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）170W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装D2PAK封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB