数据列表SP(D,U)02N60C3;

标准包装  2,500包装  标准卷带 零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列CoolMOS™

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.8A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）3 欧姆 @ 1.1A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3.9V @ 80μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）12.5nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）200pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）25W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PG-TO252-3封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63