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深圳市瑞平祥电子有限公司
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产品分类
- ROM(只读存储器)(2)
- RAM(随机存取存储器)(1)
- 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)
- 单向可控硅(晶闸管)(1)
- 双向可控硅(晶闸管)(2)
- 开关电源(2)
- 自恢复保险丝(1)
- 电流变送器(1)
- 功率继电器(1)
- 光电编码器(1)
SPD02N60C3
发布时间: 2019/4/27 16:25:38 | 284 次阅读
数据列表SP(D,U)02N60C3;
标准包装 2,500包装 标准卷带 零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列CoolMOS™
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)650V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)1.8A(Tc)驱动电压( Rds On, Rds On)10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)3 欧姆 @ 1.1A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)3.9V @ 80μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)12.5nC @ 10VVgs(值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)200pF @ 25VFET 功能-功率耗散(值)25W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装PG-TO252-3封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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