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STP5NK100Z

发布时间: 2019/4/27 16:49:42 | 325 次阅读

数据列表STx5NK100Z;

标准包装  50包装  管件 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列SuperMESH3™

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)1000V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)3.5A(Tc)驱动电压( Rds On, Rds On)10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)3.7 欧姆 @ 1.75A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4.5V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)59nC @ 10VVgs(值)±30V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1154pF @ 25VFET 功能-功率耗散(值)125W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3

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