数据列表STx5NK100Z;

标准包装  50包装  管件 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列SuperMESH3™

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）1000V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.5A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）3.7 欧姆 @ 1.75A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4.5V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）59nC @ 10VVgs（值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1154pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）125W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3