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深圳市瑞平祥电子有限公司
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产品分类
集成电路(IC)(7)半导体存储器(3)二极管(1)可控硅IGBT(3)电源/稳压器(2)保险丝(1)变送器(1)继电器(1)编码器(1)
- ROM（只读存储器）(2)
- RAM（随机存取存储器）(1)
- 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)
- 单向可控硅(晶闸管)(1)
- 双向可控硅(晶闸管)(2)
- 开关电源(2)
- 自恢复保险丝(1)
- 电流变送器(1)
- 功率继电器(1)
- 光电编码器(1)
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产品信息
FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）400V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）16A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）300 毫欧 @ 9.6A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）150nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2600pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）190W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3封装/外壳TO-247-3
FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）400V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）16A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）300 毫欧 @ 9.6A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）150nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2600pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）190W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3封装/外壳TO-247-3