FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）400V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）16A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）300 毫欧 @ 9.6A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）150nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2600pF @ 25