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深圳市瑞平祥电子有限公司
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IRFP250NPBF
发布时间： 2018/10/20 12:01:20 | 304 次阅读
FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）30A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）75 毫欧 @ 18A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）123nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2159pF @ 25V
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