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DMP2104LP7

发布时间: 2019/4/27 16:52:31 | 346 次阅读

数据列表DMP2104LP;

标准包装  3,000包装  标准卷带 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-

规格FET 类型P 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)1.5A(Ta)驱动电压( Rds On, Rds On)1.8V,4.5V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)150 毫欧 @ 950mA,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)1V @ 250μAVgs(值)±12V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)320pF @ 16VFET 功能-功率耗散(值)500mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装3-DFN1411(1.4x1.1)封装/外壳3-XDFN

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