数据列表DMP2104LP;

标准包装  3,000包装  标准卷带 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-

规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.5A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）1.8V，4.5V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）150 毫欧 @ 950mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V @ 250μAVgs（值）±12V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）320pF @ 16VFET 功能-功率耗散（值）500mW（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装3-DFN1411（1.4x1.1）封装/外壳3-XDFN