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深圳市瑞平祥电子有限公司
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产品分类
集成电路(IC)(7)半导体存储器(3)二极管(1)可控硅IGBT(3)电源/稳压器(2)保险丝(1)变送器(1)继电器(1)编码器(1)
- ROM（只读存储器）(2)
- RAM（随机存取存储器）(1)
- 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)
- 单向可控硅(晶闸管)(1)
- 双向可控硅(晶闸管)(2)
- 开关电源(2)
- 自恢复保险丝(1)
- 电流变送器(1)
- 功率继电器(1)
- 光电编码器(1)
2N7002LT1G
发布时间： 2019/4/27 16:53:39 | 315 次阅读
数据列表2N7002L Datasheet;
标准包装 3,000包装 标准卷带 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）115mA（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）7.5 欧姆 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V @ 250μAVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）50pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）225mW（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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