数据列表2N7002L Datasheet;

标准包装  3,000包装  标准卷带 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）115mA（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）7.5 欧姆 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V @ 250μAVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）50pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）225mW（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3